¡Síguenos!Tras realizar investigaciones con silicio poroso (SiP), Antonio Méndez Blas y Estela Calixto, investigadores del Instituto de Física “Ing. Luis Rivera Terrazas” de la BUAP (IFUAP), descubrieron que el confinamiento a nivel nanométrico es posible en otros semiconductores e incluso en dieléctricos. Por tal motivo, diseñan nuevos procesos basados en la técnica de electrodepósito para desarrollar materiales que contribuyan a mejorar la tecnología electrónica actual y basarla en la fotónica; es decir, en la manipulación de la luz por medio de materiales de diseño específico.
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La investigación consiste en depositar sobre un sustrato rígido o flexible un material con propiedades ópticas, por medio de la técnica de electrodepósito. Una vez realizado, se procede a nanoestructurarlo. Este proceso puede seguir dos vías: por un lado es posible realizar un ataque electroquímico que elimine parte del material y, por otro, puede utilizarse el mismo SiP como plantilla o “molde nanométrico” durante el depósito. En cualquiera de las dos posibilidades, la idea es mejorar las propiedades ópticas del material, como son la de transmisión/reflexión o emisión de luz.
La técnica de electrodepósito es un proceso electroquímico que permite la preparación de depósitos sólidos en película delgada, sobre la superficie de materiales conductores o sustrato, que en este caso se trata de óxidos conductores transparentes como el ITO o FTO. También se pueden utilizar metales como plata, aluminio o incluso acero modificado; además de sustratos flexibles como poliamida conductora.
El electrodepósito se lleva a cabo por la acción de la corriente eléctrica que circula a través de una celda electroquímica, un dispositivo que consta de dos o tres electrodos sumergidos en un electrolito. Este procedimiento es de bajo costo y permite su escalamiento a nivel industrial.
El siguiente paso en esta investigación es realizar la caracterización y confinamiento, para probar si tienen una amplificación de la luz diferenciada con el material en bulto. De esta manera, abundó, se tendrán nanoestructuras de materiales con propiedades ópticas ya importantes, puesto que el objetivo a largo plazo es fabricar emisores de luz (láseres) de tamaño nanométrico y así aportar nuevos elementos en la construcción de procesadores ópticos para sustituir eventualmente la tecnología electrónica actual usada en procesadores.
Méndez Blas, doctor en Física de Materiales por la Universidad Autónoma de Madrid, en España, señaló que como resultado de la investigación ya se tienen sustratos dopados con iones lantánidos ópticamente activos, a través de una metodología establecida y reproducible. Sin embargo, dijo, la investigación todavía se encuentra en proceso, tanto desde el punto de vista teórico como experimental.
